作为最大的内存芯片制造商之一的Micron美光半导体采用质量上乘的DRAM存储器芯片组件，你可以加快产品的市场投放速度。  这些DRAM存储器芯片组件均经过严格测试，在大量应用环境中都表现出高度的可靠性。

 

无论是面对工业和汽车应用环境在极端温度和性能方面的需求，还是面对应用环境对企业级系统规格准确性的严格要求，Micron美光半导体都能提供可满足你的设计要求的理想解决方案。

 

Micron美光半导体的DRAM存储器芯片分为以下几种：

 

DDR4 SDRAM：

性能出色

更加节能

数据传输速率更高

突发存取速度更快

 

DDR3 SDRAM：

支持大型存储子系统

能效提高

性能出色

带宽增加

 

DDR2 SDRAM：

支持大型存储子系统

具备低电压、高能效的选项

扩展的运行温度范围

 

DDR SDRAM：

扩展的运行温度范围

符合 JEDEC 标准

 

SDRAM：

扩展的运行温度范围

符合 JEDEC 标准

易于实施

 

RLDRAM Memory：

性能出色

超短总线周转时间，可实现更高的可持续带宽

用于执行数据包缓冲和检查的理想之选

扩展的运行温度范围

 

Mobile LPDRAM：

待机电流低并且自刷新频率低，电池寿命大幅延长

提供温度补偿自刷新 (TCSR) 和局部自刷新 (PASR) 模式

 

GDDR5：

超高存储带宽

性能出色

系统稳定

x32/x16 操作