MT29F4G08ABADAH4-ITE:D是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，基于闪存技术，可在断电后长期保存数据。
其核心特性包括2.7V至3.6V的宽电压供电范围，以及-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在苛刻电气与环境条件下的稳定性和可靠性。表面贴装型的紧凑BGA封装使其非常适合高密度PCB布局的空间敏感型应用。
这款芯片提供了高密度的数据存储解决方案，主要面向需要中等容量、稳定非易失存储且对工作环境有较高要求的工业和嵌入式电子系统。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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