MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于将高密度存储与高性能访问相结合，支持高达333MHz的时钟频率，可实现高速数据读写。

该芯片工作电压为2.5V~3.6V，工作温度范围0°C至70°C，具备非易失特性，确保了在商业及工业应用环境中数据的持久性与可靠性。其32G x 8位的组织架构和表面贴装形式，为设计紧凑、要求大容量数据存储的嵌入式系统与存储设备提供了理想的解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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