MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR是美光科技推出的一款4Gbit容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件以256M x 16的架构组织，提供高速数据访问能力，其核心时钟频率为933MHz，有效数据速率可达1866 MT/s，并具备20ns的快速访问时间，能满足现代处理器对高带宽、低延迟内存的需求。

作为一款通过AEC-Q100认证的车规级器件，其突出优势在于极宽的工作温度范围（-40°C至105°C）和1.283V~1.45V的低工作电压。这些特性使其在严苛环境下仍能保持高可靠性，同时显著优化系统功耗。其96-TFBGA封装形式适合高密度表面贴装，主要面向汽车电子、工业控制及通信设备等对性能和环境适应性要求极高的应用场景。

• 型号:MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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