MT47H64M8SH-187E:H TR

MT47H64M8SH-187E:H TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，核心优势在于其高达533MHz的时钟频率，可实现1066MT/s的数据传输速率，配合350ps的快速访问时间，能够有效满足高速数据处理系统对低延迟和高带宽的严格要求。

芯片工作在1.8V典型电压下，在提升性能的同时兼顾了能效。其采用60-TFBGA小型化表面贴装封装，适合高密度PCB设计。稳定的0°C至85°C工作温度范围确保了其在广泛的商业及工业应用环境中的可靠性，适用于网络通信、嵌入式系统等需要高效、稳定内存解决方案的领域。

• 制造商产品型号：MT47H64M8SH-187E:H TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：350ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• 想获取MT47H64M8SH-187E:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料