MT41K512M16TNA-125 IT:E TR是美光科技生产的一款8Gb容量、16位位宽的DDR3L SDRAM芯片，采用96-TFBGA封装。该器件基于DDR3L技术，核心优势在于其1.35V的低工作电压，在提供高达1600 MT/s数据传输速率的同时，实现了显著的功耗降低，符合现代电子系统对能效的严格要求。
其参数设计兼顾了性能与可靠性，访问时间为13.5ns，并支持在-40°C至95°C的宽温度范围内工作，确保了在工业与汽车等恶劣环境下的稳定运行。该芯片适用于需要高速数据缓冲和大容量内存的各类嵌入式、网络及计算应用。请注意，此型号目前已处于停产状态。
- 型号:MT41K512M16TNA-125 IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（10x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
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