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MICRON
MT46H8M16LFBF-5:K TR的图片

MT46H8M16LFBF-5:K TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
原厂封装:产品封装:60-VFBGA
优势价格,MT46H8M16LFBF-5:K TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46H8M16LFBF-5:K TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46H8M16LFBF-5:K TR是一款由美光科技制造的128Mb移动低功耗DDR SDRAM。该器件采用并联接口,组织架构为8M x 16位,专为优化功耗与性能而设计,其核心工作电压低至1.7V-1.95V,时钟频率达200MHz,能够有效满足移动设备对高速数据存取和长续航时间的双重需求。

该芯片提供5ns的快速访问时间和15ns的写周期时间,确保了高效的数据吞吐能力。其采用节省空间的60-VFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至70°C,适用于商业级应用环境。这些参数共同定义了其作为一款面向早期便携式及嵌入式系统的紧凑型、低功耗存储解决方案的定位。

  • 制造商产品型号:MT46H8M16LFBF-5:K TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:128Mb(8M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:5ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-VFBGA
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