MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR是美光科技推出的一款6Tb大容量并行接口NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，内部结构为768G x 8位，为核心数据存储提供了高密度解决方案。

该芯片通过并联接口运行，时钟频率高达333MHz，实现了高带宽的数据传输，显著提升了大规模数据存取的效率。其工作电压范围为2.5V至3.6V，并支持0°C至70°C的商业温度范围，确保了在广泛应用环境中的兼容性与可靠性。

• 制造商产品型号：MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：6Tb（768G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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