MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR是美光科技推出的一款1Gb（128M x 8）容量的并行接口NAND闪存芯片，采用SLC（单层单元）技术。该器件属于Automotive, AEC-Q100认证系列，具备车规级可靠性，工作温度范围覆盖-40°C至105°C，电压供应为2.7V~3.6V。
其核心优势在于20ns的快速页写入和访问时间，以及SLC技术带来的高耐久性和数据保持能力。63-VFBGA封装形式适合表面贴装，主要面向汽车电子、工业控制等高可靠性应用场景，为关键数据存储提供稳定、高效的解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:20ns
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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