MT29F8G16ABACAH4:C TR是美光科技生产的一款8Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用512M x 16位的存储结构，通过16位并行数据总线实现高速数据访问，主要面向需要大容量非易失存储和较高数据传输带宽的嵌入式应用。
芯片采用2.7V~3.6V宽电压供电，兼容工业标准3.3V系统，并以63-VFBGA小型化封装和卷带形式提供，便于表面贴装生产。其设计适用于商用温度范围（0°C至70°C）内的各类电子设备，为固件、数据和媒体内容的存储提供了可靠的解决方案。
- 型号:MT29F8G16ABACAH4:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F8G16ABACAH4:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
