MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA表面贴装封装。该器件属于非易失性存储器，确保数据在断电后不丢失，为核心代码和数据提供可靠的存储介质。
其核心优势在于宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至105°C）支持，达到了工业级标准，能够适应严苛的工作环境。4Gb的存储容量结合并联接口架构，为需要中等存储空间和稳定数据存取的系统提供了高效的解决方案，适用于工业控制、汽车电子及网络设备等领域。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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