M29W200BB70N6E 是美光科技生产的一款2Mb并行NOR闪存存储器，采用48-TFSOP封装。该芯片提供256K x 8位或128K x 16位的灵活存储组织方式，支持快速的随机访问，其访问时间和写周期时间均为70ns，适用于要求快速读取和执行代码的嵌入式系统。
器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平，并具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业级应用的环境要求。其非易失性特性和可靠的扇区擦除功能，使其成为存储固件、配置参数或引导代码的稳定解决方案。
- 型号:M29W200BB70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
- 想获取M29W200BB70N6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
