M29W800DB70ZM6E是美光科技生产的一款8Mbit并行NOR闪存芯片,采用44引脚SO封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位的灵活存储组织方式,支持字节和字宽操作,其核心特性包括70ns的快速访问与写周期时间,工作电压范围为2.7V至3.6V,并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行。
作为一款非易失性存储器,它通过标准的并行接口与主控制器连接,适用于需要可靠存储程序代码或数据的嵌入式系统。其表面贴装形式便于集成,尽管目前已停产,但在许多现有工业控制、通信及汽车电子系统中仍扮演着关键的角色。
- 型号:M29W800DB70ZM6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8,512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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