MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR是美光科技生产的一款32Gb容量的移动低功耗双倍数据速率4（LPDDR4）同步动态随机存取存储器。该器件采用512M x 64的组织结构，工作时钟频率为1866MHz，可提供出色的数据传输带宽，满足现代高性能移动计算平台对内存速度的严苛要求。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡。该芯片在1.1V的低电压下运行，显著降低了动态功耗，同时支持LPDDR4标准的高级省电特性。它采用366球WFBGA封装，适用于空间紧凑的表面贴装设计，工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），确保了在广泛环境条件下的可靠运行。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 366WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：366-WFBGA
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