MT49H64M9SJ-25E:B

MT49H64M9SJ-25E:B是Micron Technology生产的一款576Mb容量并行接口DRAM芯片。该器件采用64M x 9的组织结构，工作电压为1.7V至1.9V，并提供0°C至95°C的宽工作温度范围。

其核心卖点在于高达400MHz的时钟频率与15ns的访问时间，这确保了高速的数据读写性能。9位（含校验位）的并行数据接口为系统提供了高带宽的数据通路。该芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于对空间和性能有要求的嵌入式设计。

• 型号:MT49H64M9SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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