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MICRON
MT46H16M32LFCX-6:B TR的图片

MT46H16M32LFCX-6:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
原厂封装:产品封装:90-VFBGA
优势价格,MT46H16M32LFCX-6:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46H16M32LFCX-6:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46H16M32LFCX-6:B TR是美光科技生产的一款512Mb容量、采用移动低功耗双倍数据率(Mobile LPDDR)技术的同步DRAM。其核心组织架构为16M x 32位,通过并联接口提供高速数据访问。

该器件在166MHz时钟频率下运行,实现高达333MT/s的数据传输速率,其访问时间为5ns,写周期时间为15ns,确保了高效的数据处理能力。其突出的特点是1.7V至1.95V的低工作电压范围,专为优化功耗而设计,非常适合电池供电的便携式设备。芯片采用90-VFBGA小型化封装,表面贴装,适用于空间受限的设计。

作为一款商业级(0°C至70°C)存储器,它主要面向对功耗、性能和尺寸有综合要求的移动及嵌入式应用场景,是此类系统中关键的工作内存解决方案。

  • 制造商产品型号:MT46H16M32LFCX-6:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:512Mb(16M x 32)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:5ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:90-VFBGA
  • 想获取MT46H16M32LFCX-6:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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