MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR是美光科技推出的一款768Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和Toggle DDR架构。其核心优势在于提供高达96GB（96G x 8）的大容量存储空间，并支持267MHz的高速时钟频率，确保了优异的数据吞吐性能，适用于对存储带宽和容量有较高要求的应用。
该芯片工作电压为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，具备良好的系统兼容性与环境适应性。作为一款非易失性存储器，它为需要稳定、大容量数据存储的解决方案提供了关键硬件支持。
- 型号:MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:768Gb
- 存储器组织:96G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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