MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR是美光科技推出的一款256Mb容量并行NOR闪存芯片。该器件采用非易失性闪存技术，提供32M x 8位或16M x 16位的灵活组织方式，支持2.7V至3.6V的宽电压供电范围，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
其核心性能参数包括75ns的访问时间和60ns的写周期时间，确保了数据读写的效率。采用56-VFBGA小型化表面贴装封装，并以卷带形式供货，适合自动化生产。这些特性使其成为需要可靠代码存储、快速读取以及适应严苛环境的工业控制、网络通信和汽车电子等应用的理想选择。
- 型号:MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:75 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7x9）
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