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MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR
的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:
美光(MICRON)
功能简述:
IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
原厂封装:
封装:200-TFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR的技术资料下载
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
型号:MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR
品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
封装:200-TFBGA(10x14.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量:16Gb
存储器组织:512M x 32
存储器接口:并联
时钟频率:2.133 GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
访问时间:3.5 ns
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V
工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:200-TFBGA
供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5)
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