MT47H256M8THN-25E:M TR

MT47H256M8THN-25E:M TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM存储器芯片。该器件采用256M x 8的存储结构，通过并联接口与主控连接，其核心优势在于400MHz的时钟频率，结合DDR2双倍数据速率技术，实现了高达800MT/s的数据传输率，能够为系统提供显著的内存带宽提升。

该芯片在1.8V典型电压下工作，访问时间低至400ps，写周期时间为15ns，确保了快速的数据读写响应。其采用63-TFBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的PCB设计。作为一款已停产的器件，它主要面向需要持续供应支持的既有嵌入式系统、网络设备及工业控制应用，在这些领域，其平衡的性能与成本依然是关键考量因素。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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