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MICRON
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D的图片

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
原厂封装:封装:432-VFBGA(15x15)
优势价格,MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D是美光科技生产的一款LPDDR4移动DRAM芯片,采用432-VFBGA封装。其核心卖点在于集成了64Gb(1G x 64)的大存储容量,并支持高达1866MHz的时钟频率,能够为移动和嵌入式平台提供出色的内存带宽,以满足日益增长的数据处理需求。

该器件在1.1V的低工作电压下运行,显著优化了系统整体功耗,体现了高性能与高能效的平衡设计。其宽泛的工作温度范围(-30°C ~ 85°C)确保了在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为当时高端移动计算、图形密集型应用及要求严苛的嵌入式系统的理想内存解决方案。

  • 型号:MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:432-VFBGA(15x15)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:1G x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:432-VFBGA
  • 供应商器件封装:432-VFBGA(15x15)
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