MT45W2MW16BGB-708 AT

MT45W2MW16BGB-708 AT是美光科技生产的一款32Mb（2M x 16位）并行接口PSRAM存储器。该芯片采用54-VFBGA表面贴装封装，核心优势在于其伪SRAM（PSRAM）技术，该技术内部集成了刷新逻辑，对外提供与标准SRAM兼容的简易异步接口，从而在实现高存储密度的同时，免除了系统设计中外加DRAM控制器的复杂性。

器件在1.7V至1.95V的低电压下工作，访问时间与写周期时间均为70ns，确保了高效的数据吞吐能力。其宽泛的工作温度范围（-40°C 至 105°C TC）使其能够满足工业及汽车电子等恶劣环境下的可靠性要求。这款存储器主要面向需要高带宽、简化接口设计且对成本和功耗敏感的应用系统。

• 型号:MT45W2MW16BGB-708 AT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:32Mb
• 存储器组织:2M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
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