MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A

MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A是一款由Micron Technology制造的2Tb（256GB）容量NAND闪存芯片，采用TLC（3-bit-per-cell）技术和并联接口。该器件封装为132-VBGA，支持表面贴装，工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，适用于商业温度环境。

其核心卖点在于结合了高密度存储与高性能数据访问。高达333MHz的时钟频率与并行架构协同工作，可实现高带宽数据传输，满足数据密集型应用的吞吐需求。2Tb的存储容量（组织为256G x 8）为非易失性数据存储提供了海量空间，使其成为大容量固态存储方案的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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