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MICRON
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR的图片

MT45W4MW16BFB-708 WT F TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:产品封装:54-VFBGA
优势价格,MT45W4MW16BFB-708 WT F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45W4MW16BFB-708 WT F TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45W4MW16BFB-708 WT F TR是一款由美光科技制造的64Mb并行接口PSRAM(伪静态随机存取存储器)。该器件将4M个存储单元组织为16位宽(4M x 16),通过标准的并行接口进行访问,其核心优势在于内部集成了刷新逻辑,对外表现为无需外部刷新控制的静态存储器接口,从而简化了系统设计。

该芯片在1.8V典型电压(范围1.7V~1.95V)下工作,提供70ns的访问时间和写周期时间,确保了快速的数据读写能力。其采用54-VFBGA小型化封装,支持表面贴装,工作温度范围覆盖-30°C至85°C,适用于对空间、功耗和可靠性有要求的工业及消费类嵌入式应用。

  • 制造商产品型号:MT45W4MW16BFB-708 WT F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • 想获取MT45W4MW16BFB-708 WT F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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