MT29F4G16ABAEAH4:E

MT29F4G16ABAEAH4:E是美光科技生产的一款4Gb（256M x 16位）容量NAND闪存芯片，采用并行接口，工作电压范围为2.7V至3.6V。该器件基于非易失性闪存技术，数据在断电后仍可保持，封装形式为63-VFBGA，支持表面贴装。

其核心特性在于提供了中等容量、可靠的并行存储解决方案，适用于需要本地数据存储的各类嵌入式系统。0°C至70°C的商业级工作温度范围使其能够满足多数常见应用环境的需求。

• 制造商产品型号：MT29F4G16ABAEAH4:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（256M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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