MT46V32M16BN-6:F TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器，采用32M x 16位的组织架构。该器件基于DDR技术，在167MHz的时钟频率下可实现高达333MT/s的数据传输速率，有效提升了系统内存带宽，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
该芯片工作电压为2.3V至2.7V，采用标准的并联接口和60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级环境。其设计兼顾了性能与功耗，支持可编程突发模式与刷新管理，为嵌入式系统提供了可靠的高速数据存储解决方案。
- 型号:MT46V32M16BN-6:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
- 想获取MT46V32M16BN-6:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
