M29F400FB55N3F2 TR是美光科技推出的一款4兆位（4Mb）并行NOR闪存芯片，提供512K x 8位或256K x 16位的灵活存储组织方式。该器件采用标准的并联接口，访问时间与写周期时间均为55ns，确保了高速的数据读写性能，适用于对执行速度有要求的嵌入式代码存储应用。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，兼容常见的5V逻辑系统，并支持-40°C至125°C的宽工业温度范围，满足严苛环境下的可靠性需求。芯片采用48-TSOP表面贴装封装，以卷带形式供货，便于自动化生产。作为一款成熟的非易失性存储解决方案，它主要用于存储固件、引导程序及关键配置参数。
- 型号:M29F400FB55N3F2 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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