MT40A512M8RH-062E:B TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM存储器，采用512M x 8的并行架构。该器件基于DDR4技术，运行时钟频率为1.6GHz，可实现高达3200 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提升性能的同时有效降低了功耗，并支持多种省电模式。该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于要求严苛的工业与通信环境。其设计符合JEDEC标准，确保了在高速并行接口下的信号完整性和系统兼容性。
- 型号:MT40A512M8RH-062E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
- 想获取MT40A512M8RH-062E:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
