MT28F800B3WG-9 TET TR是美光科技推出的一款8Mb容量并行NOR闪存芯片。它提供1M x 8或512K x 16的灵活存储组织方式,访问时间和写周期时间均为90ns,确保了高效的数据读写性能。
该芯片采用3V至3.6V单电源供电,工作温度范围为-40°C至85°C,并采用48-TSOP表面贴装封装,具备良好的工业环境适应性与集成便利性。其并行接口支持直接与微处理器连接,适用于需要快速读取和执行代码的嵌入式系统。
- 型号:MT28F800B3WG-9 TET TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8,512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:90ns
- 访问时间:90 ns
- 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT28F800B3WG-9 TET TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料