MT29F6T08ETHBBM5-3R:B是美光科技生产的一款大容量并行接口NAND闪存芯片，总存储容量高达6Tb（768GB）。它采用非易失性存储技术，确保数据在断电后不丢失，其核心卖点在于支持高达333MHz的时钟频率，通过并联接口实现高速数据吞吐，适用于对带宽有较高要求的应用。
该器件工作电压为2.5V至3.6V，可在0°C至70°C的环境温度下稳定运行。其高密度存储架构（768G x 8位）使其成为处理海量数据流的理想选择，主要面向需要快速存取和大容量非易失性存储的电子系统设计。
- 型号:MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:6Tb
- 存储器组织:768G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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