M29W640GB7AN6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TSOP封装。它提供8位或16位可配置数据宽度（8M x 8 / 4M x 16），工作电压为2.7V-3.6V，访问时间与写周期时间均为70ns，支持在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行。
该芯片基于成熟的NOR闪存技术，具备快速随机读取能力，适用于需要直接从闪存执行代码（XiP）的嵌入式系统。其标准的并行接口和命令集简化了与各类微处理器或微控制器的连接与驱动开发，主要面向工业控制、汽车电子、网络设备等对代码存储可靠性和实时性有较高要求的应用领域。
- 型号:M29W640GB7AN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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