MT41K512M8DA-093:P是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该器件采用512M x 8的存储结构,基于DDR3L技术标准,其核心优势在于高数据速率与低功耗运行的出色结合。其工作时钟频率可达1067MHz,实现高达2133 MT/s的数据传输速率,同时工作电压范围低至1.283V~1.45V,显著降低了动态和静态功耗。
该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装,提供并联存储器接口,访问时间为20ns,确保了快速的数据响应能力。其0°C至95°C(TC)的工作温度范围使其能够适应广泛的商业及工业嵌入式应用环境。这款器件为需要高速数据缓冲和大容量内存的系统提供了可靠、高效的解决方案。
- 型号:MT41K512M8DA-093:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(8x10.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.066 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
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