MT49H64M9SJ-25E:B TR

MT49H64M9SJ-25E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用64M x 9的存储结构。该器件核心优势在于其400MHz的高时钟频率与15ns的快速访问时间，能够为系统提供高速的数据吞吐能力，满足对实时性要求较高的应用需求。

芯片工作在1.7V至1.9V的低电压范围，有助于实现能效优化。其采用144-TFBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适合自动化生产。该器件支持0°C至95°C的宽工作结温范围，确保了在多种环境条件下的稳定运行。其并行接口和带校验位的9位数据宽度设计，为需要数据完整性保障的系统提供了硬件支持。

• 型号:MT49H64M9SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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