MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 16位的并行架构。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后不丢失，其1.7V至1.95V的低电压供电范围有助于实现节能设计。

该芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。其并联接口提供了直接、高效的数据通路，适用于需要可靠数据存储和中等带宽的嵌入式应用场景。

• 型号:MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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