MT47H128M4CB-37E:B是一款由美光科技制造的512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 4位的组织架构。该器件基于并联接口，标准工作电压为1.8V，其核心性能表现为267MHz的时钟频率，可实现高达533MT/s的数据传输速率，并具备15ns的快速写周期时间。
芯片采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业及工业温控环境。其设计旨在为嵌入式系统、网络通讯设备等应用提供可靠的高带宽内存支持，是此类领域中对性能与容量有特定要求场景下的经典存储解决方案。
- 型号:MT47H128M4CB-37E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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