M58WR064KB7AZB6F TR 是美光科技推出的一款 64Mb 并行 NOR 闪存，采用 56-VFBGA 表面贴装封装。其核心优势在于高达 66MHz 的时钟频率与 70ns 的快速访问时间，为需要高速代码读取和直接执行的嵌入式系统提供了关键的性能支持。
该器件工作电压低至 1.7V~2.0V，并支持 -40°C 至 85°C 的工业级工作温度范围，在降低功耗的同时确保了在恶劣环境下的可靠性。其 4M x 16 位的组织结构和标准并行接口，简化了与主流处理器的连接设计。
- 型号:M58WR064KB7AZB6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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