MT29F256G08CEECBH6-12:C TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和MLC技术。其核心优势在于提供了高达32GB（32G x 8）的存储空间，并支持83MHz的时钟频率，能够满足对存储带宽有较高要求的应用场景。
该芯片工作电压为2.7V~3.6V，采用152-VBGA表面贴装封装，适用于0°C至70°C的商业温度环境。其设计集成了增强的数据完整性和管理功能，主要面向需要大容量、可靠非易失性存储的嵌入式系统和数据存储设备。
- 型号:MT29F256G08CEECBH6-12:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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