MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR是美光科技生产的一款16Gb容量、采用LPDDR4技术的移动SDRAM。该器件以2133MHz的时钟频率运行,提供高速数据带宽,同时其1.1V的低工作电压设计显著降低了系统功耗,契合移动及嵌入式设备对能效的严格要求。
该芯片采用FBGA封装,支持-30°C至105°C的宽工作温度范围,确保了在苛刻环境下的稳定运行。其256M x 64的组织结构优化了大数据块访问效率,适用于需要高吞吐量和低延迟内存子系统的应用,是高性能便携式计算和工业嵌入式平台的理想内存解决方案。
- 制造商产品型号:MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:16Gb(256M x 64)
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2133MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
- 安装类型:-
- 产品封装:-
- 想获取MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料