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MICRON
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR的图片

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 2GBIT SPI 8UPDFN
原厂封装:封装:8-UPDFN(8x6)(MLP8)
优势价格,MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR是美光科技生产的一款2Gb容量SPI接口NAND闪存芯片。该器件采用8-UDFN紧凑型封装,提供了一种高存储密度、低引脚占用的非易失性存储解决方案。

其核心优势在于将大容量NAND闪存阵列与标准串行外设接口(SPI)相结合,工作电压为2.7V至3.6V,并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围。这些特性使其特别适合在空间受限、对可靠性要求高的嵌入式系统中,用于存储程序代码、配置参数或用户数据。

  • 型号:MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:8-UPDFN(8x6)(MLP8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 2GBIT SPI 8UPDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:2G x 1
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-UDFN
  • 供应商器件封装:8-UPDFN(8x6)(MLP8)
  • 想获取MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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