MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和128M x 8位组织架构，提供非易失性数据存储解决方案。其核心卖点包括宽电压供电范围（2.7V~3.6V）和工业级工作温度（-40°C~85°C），确保在多变环境下的稳定运行。
该器件封装为48-TFSOP，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。作为有源器件，它具备闪存技术的高耐久性和可靠性，适合需要频繁读写的应用，如嵌入式系统和网络设备。其参数设计平衡了性能与功耗，是中等存储需求的理想选择。
- 型号:MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
