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MICRON
MT36HTS51272FY-53EA2D3的图片

MT36HTS51272FY-53EA2D3

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
原厂封装:240-FBDIMM
优势价格,MT36HTS51272FY-53EA2D3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT36HTS51272FY-53EA2D3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT36HTS51272FY-53EA2D3是美光科技出品的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模块(FBDIMM)。该模块采用240-FBDIMM封装,核心运行速度为533MT/s,专为需要高带宽和可靠性的企业级计算环境设计。

其核心优势在于通过全缓冲(FB)架构,有效提升了信号完整性和系统内存扩展能力。4GB的单模块高密度存储,能够显著增加服务器的总可用内存,满足虚拟化、数据库和大数据处理等应用对海量内存资源的迫切需求。该模块严格遵循行业标准,确保在兼容服务器平台上的稳定运行。

  • Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272FY-53EA2D3
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 533MT/s
  • 封装/外壳: 240-FBDIMM
  • 想获取MT36HTS51272FY-53EA2D3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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