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MICRON
MT41K256M16V80AWC1的图片

MT41K256M16V80AWC1

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
原厂封装:封装:模具
优势价格,MT41K256M16V80AWC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K256M16V80AWC1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K256M16V80AWC1是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用256M x 16位的并行接口架构。该器件核心优势在于其低工作电压(1.283V~1.45V)设计,符合DDR3L标准,能显著降低系统整体功耗与热耗散。

作为一款易失性DRAM,它提供了高速的数据读写带宽,适用于需要快速数据缓冲和处理的应用。其支持0°C至95°C的宽工作结温范围,增强了在工业级环境下的适用性与可靠性。这款芯片主要面向嵌入式系统、网络通信及工业控制等对内存性能、能效和稳定性有明确要求的领域。

  • 型号:MT41K256M16V80AWC1
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:模具
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • 想获取MT41K256M16V80AWC1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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