MT46V64M8FN-75:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片,采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并行接口,核心工作时钟频率为133MHz,并凭借DDR技术实现了有效的数据吞吐率提升。
其关键电气特性包括2.3V至2.7V的宽供电电压范围、750ps的访问时间以及15ns的写周期时间,确保了在商业温度范围(0°C至70°C)内稳定可靠的数据读写性能。芯片采用60-TFBGA表面贴装封装,以卷带形式供货,适用于对PCB空间和制造效率有要求的嵌入式存储应用。
- 制造商产品型号:MT46V64M8FN-75:D TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb(64M x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133MHz
- 写周期时间-字,页:15ns
- 访问时间:750ps
- 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:60-TFBGA
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