MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR是Micron Technology生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用256M x 8位的存储结构。该器件通过并联接口进行数据交换，旨在为嵌入式系统提供一种高性价比的非易失性存储解决方案。
其核心特性包括2.7V至3.6V的宽工作电压范围，增强了在不同电源环境下的适应性。芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，便于自动化生产装配。该产品适用于对存储速度与成本有综合考量的商业级应用环境。
- 型号:MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
