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MICRON
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E的图片

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 556WFBGA
原厂封装:产品封装:556-WFBGA
优势价格,MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E是美光科技推出的一款32Gb容量、1866MHz时钟频率的移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 64的组织结构,基于先进的低功耗DRAM技术,标准工作电压为1.1V,旨在提供高带宽数据访问的同时,显著优化系统能耗。

其核心卖点在于实现了高性能与低功耗的卓越平衡。高达3732 MT/s的数据传输率能满足现代处理器对内存带宽的苛刻需求,而多种可配置的低功耗状态则能有效延长电池供电设备的续航时间。此外,其采用556-WFBGA小型化封装,支持表面贴装,工作温度范围达-30°C至85°C,兼具高集成度与工业级可靠性,非常适合空间受限且环境要求严苛的嵌入式应用。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 556WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-WFBGA
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