M29W400DT55ZE6F TR 是美光科技生产的一款4Mb并行NOR闪存，采用48-TFBGA封装。该器件提供55ns的快速访问时间和宽电压工作范围（2.7V-3.6V），支持字节（x8）或字（x16）模式选择，具备非易失性数据存储能力。
其设计适用于要求高可靠性和快速读取的工业级环境，工作温度范围为-40°C至85°C。该芯片主要用于存储嵌入式系统的引导代码、应用程序或参数数据，是传统并行闪存解决方案的代表之一。
- 型号:M29W400DT55ZE6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
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