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MICRON
MT47H64M16B7-5E:A TR的图片

MT47H64M16B7-5E:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
原厂封装:封装:92-FBGA(11x19)
优势价格,MT47H64M16B7-5E:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M16B7-5E:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M16B7-5E:A TR是美光科技生产的一款1Gb DDR2 SDRAM芯片,采用64M x 16位的组织架构和92-VFBGA紧凑封装。该器件支持200MHz时钟频率,在双倍数据速率下可实现800Mb/s/pin的数据速率,其1.8V的核心工作电压和600ps的访问时间为系统提供了高效、低功耗的内存访问能力。

该芯片工作温度范围为0°C至85°C,具备标准的并联接口,适用于表面贴装工艺。其15ns的写周期时间与片内终结等特性,使其在需要稳定、连续数据读写的嵌入式应用,如工业控制与消费电子设备中,能提供可靠的内存子系统支持。

  • 型号:MT47H64M16B7-5E:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:92-FBGA(11x19)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:600 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:92-TFBGA
  • 供应商器件封装:92-FBGA(11x19)
  • 想获取MT47H64M16B7-5E:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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