MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B是美光科技推出的一款高容量并行NAND闪存芯片，采用132-VBGA封装，提供高达1.5Tb（192GB）的非易失性存储空间。其核心卖点在于支持333MHz时钟频率的并联接口，能够实现高速数据读写，满足对带宽有严苛要求的应用。
该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性良好，工作温度覆盖0°C至70°C的商业级范围。其大容量与高速接口特性使其非常适合用于需要处理大量数据的嵌入式存储解决方案，如企业存储、高端监控及通信设备等领域。
- 型号:MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb
- 存储器组织:192G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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