MT29F2G08ABBGAM79A3WC1

MT29F2G08ABBGAM79A3WC1是美光科技（Micron Technology）生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和8位数据宽度（256M x 8）。该器件属于非易失性存储器，可在断电后永久保存数据，其工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于低功耗设计场景。

该芯片基于成熟的闪存技术，提供了高存储密度的解决方案，主要面向需要可靠固件存储或数据缓冲的嵌入式应用。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）使其适用于广泛的消费电子和工业控制设备。作为一款并行接口闪存，它提供了直接、易于控制的存储访问方式。

• 型号:MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
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