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MICRON
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR的图片

MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 167MHZ
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR是美光科技生产的一款64Gb(8GB)容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于成熟的闪存技术,提供非易失性数据存储解决方案,其核心规格包括167MHz的工作时钟频率以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围,旨在实现高速数据读写与良好的系统兼容性。

该芯片采用8位并行数据总线架构,组织格式为8G x 8,适用于需要高带宽数据交换的嵌入式系统。其商业级工作温度范围(0°C至70°C)及卷带包装形式,满足了主流电子产品在制造与运行环境方面的要求。尽管产品状态标注为停产,但其技术参数所体现的大容量、高速度特性,使其在诸多对存储性能有明确需求的传统应用领域中仍具参考价值。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 167MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • 想获取MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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